「真漂亮啊！一想到這一個指甲蓋大小的晶片上被集成了十億個電晶體，我忍不住感歎人類科技的巧奪天工。」
晶片四角鑲嵌著0.5mm厚的鉑金包邊，這是英偉達專門為高端移動處理器設計的防電磁乾擾結構。
中央區域采用台積電最新的22nmFinFE工藝，在1010mm的矽片上集成了超過12億個電晶體，透過半透明的封裝材料，能看到內部精密排列的電晶體陣列像星辰般閃爍著微光。
「實際上這上麵有12億個電晶體————」
何庭波又把egr4的性能給李興漢介紹了一下，語氣裡充滿了自豪。
這雖然是英偉達的項目，但他們海思半導體在這次合作中不僅僅是學習，也提供了不少被采納的優化思路。
等李興漢把egr4的詳細數據都看了個遍之後，任正非終於把視線落在了他帶來的那份文件上。
「李總，這下總該讓我們看看你這次帶來的是什麼了吧？」
李興漢施施然拿起一旁的文件袋，撕開了上麵的密封條：「也沒什麼不得了的東西，就是跟格羅方德合作一起搞出了一個偽16nm」製程的技術。」
說完，他已經把不久前哈立德發來的資料放在了任真非和何庭波的麵前。
「16nm？」兩人聞言，頓時就瞪大了眼睛。
「不是說20nm就是現在極紫外線光刻機的製程極限了嗎？16nm是什麼弄出來的？難道他們搞定了EUV光刻機？」任真非滿臉的不可思議，他這兩年滿腦子都在想著怎麼讓國產半導體行業突破歐美的技術封鎖。
按照他的預估，國內的製程水平想要追趕上外麵，至少也得有個十年之功才有可能，這還是以美國為首的西方國家不添亂的結果，要是對方玩些不要臉的下三濫招數，或許10
年都不一定夠。
可現在，李興漢突然告訴他，在台積電的20nm技術獨領風騷的時候，星漢科技把16nm
技術給整出來了，這樣的消息實在是有些嚇人了。
一旁的何庭波已經快速翻看起了文件。
待了解到星漢科技是以QP光刻技術突破物理線寬限製，結合FinFE三維優化與異構集成提升電晶體密度，讓28nm製程的晶圓擁有16nm的電晶體密度之後，她的臉上也寫滿了驚訝。
這簡直就是天才一般的想法，對製程水平落後的國家來說，這無疑是一把開啟高階算力的鑰匙。
而且她能夠看出來，這項技術還有繼續提升的空間，如果沿著這個方向研究下去，還能進一步推高電晶體的密度，達到14nm甚至10nm的水平都有可能，隻不過這其中的散熱和供電問題就需要逐一想辦法克服了。
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她的直覺並沒有錯，畢竟在原曆史中，2018年半導體設備禁運後，中芯國際無法獲取先進光刻機被迫轉向成熟製程的深度優化。
在193nm波長的DUV光刻機上，通過四次曝光將線寬從28nm縮至7nm水平，電晶體密度提升4倍。
所以說，16nm的製程遠遠沒有到達極限。
「這可惜egr4用的是台積電20nm製程的技術，現在想改已經來不及了，不然性能肯定還能實現巨大的突破。」李興漢感歎道。
「這也是沒辦法的事情，晶片設計的第一步就是確定製程水平，從製程突破到晶片上市起碼都需要9個月時間的周期，不是一朝一夕能夠完成的。
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