被眾人注視著，韓靖臉上並沒有什麼表情變化。
腦海中，他默默的呼喚出係統：「使用新手禮包，解析KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題！」
「解析中，技術原理與解決路徑方案已完成。」
當係統的回應出現時，腦海中，一股信息流陡然出現。
他對KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題的技術原理和解決路徑方案已然了如指掌，就像是他自己親手解決過這個問題一般。
對上趙知許的目光，韓靖緩緩地開口道：「解決這個問題很簡單，引入氮化界麵層來抑製硼穿透效應就可以。」
「引入氮化界麵層來抑製硼穿透效應？」
會議室中，負責晶片摻雜工藝的李暉思索著問了一句：「能具體講講嗎？」
李暉的追問，瞬間打破了會議室的死寂。
作為KL-02項目摻雜工藝的核心負責人，他同樣為這個難題熬了無數個夜晚，都沒能找到突破口。
但韓靖的一句話，像是給陷入死胡同的他，打開了一扇新的大門。
而會議室中，其他人也有些好奇的看向韓靖。
畢竟從李暉的的語氣大家都能聽出來，這不是在刁難，而是真的被韓靖的話勾起了興趣。
韓靖點點頭，道：「可以。」
停頓了一下，他組織好語言開口道：「KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移難題是離子注入過程中的各種物理效應疊加，導致雜質原子沒有精準地到達目標位置。」
「除了物理效應，工藝控製偏差同樣致命。」
「比如離子注入機的角度稍有偏差、快速熱退火（RTA）設備內溫度分布不均，如中心與邊緣差幾攝氏度、預非晶化層厚度波動，這些因素疊加，都會導致摻雜濃度在晶圓片內或批次間產生係統性偏移。」
「要解決它，核心在於預非晶化注入、精密角度注入與低溫注入。」
「可以通過在PAI環節注入Si或Ge等重離子，預先打亂矽表麵晶格形成無序的非晶層，強製後續摻雜離子在淺層停止，從根源上阻斷「溝道效應。」
「與此同時，通過將晶圓傾斜一定的角度並同時旋轉，使離子偏離主晶軸方向，再結合低溫注入，如液氮冷卻可有效抑製因擴散造成的RDF，大幅降低Vt失配.......最後使溝道摻雜濃度達到平衡！」
會議室中，李暉一邊聽著韓靖的解決方案，一邊在腦海中順著這份方案模擬思索著。
忽的，他突然眼前一亮，快速地開口道：「氮化步驟通過中溫短時處理可以形成高質量的氮氧化矽界麵，抑製摻雜劑擴散，提高可靠性。」
「而激活退火則專門用於激活摻雜劑、修復損傷，並使溝道淨摻雜濃度達到設計目標值。」
「處理時載流子濃度、缺陷濃度、擴散梯度均處於熱力學平衡，器件電學參數穩定且可重複。」
「這套方案說不定真的可行！」
李暉的話語在會議室中爆出，全場頓時一片死寂。
所有人都徹底愣住了，看向韓靖的目光，再也沒有了之前的質疑和嘲諷，取而代之的是震驚、難以置信，還有一絲不易察覺的敬佩。就連校長王恩哥，都緩緩坐直了身體，眼神中帶著審視和讚許，重新打量著這個年輕的博士生。
周文淵主任也皺起了眉頭，手指輕輕敲擊著桌麵，陷入了沉思。
他原本以為韓靖隻是一時衝動，或者說出來的答案隻是一些粗略的方向，可李暉的認可，還有韓靖精準具體的工藝拆解，都讓他不得不重新評估這個年輕人——或許，這個博士生，真的有能力接手KL-02項目？
所有人都下意識的看向了韓靖，一個博士生，真的拿出了KL-02在28nm工藝下的溝道摻雜濃度偏移問題的解決方案？
這怎麼可能！？
會議桌對麵，剛剛還一臉看戲篤定了韓靖不可能回答得上來這個問題的趙知許張了張嘴，臉色青一陣白一陣。
他很想說你在扯淡，真要這麼容易解決，他們早就搞定了。
但李暉的佐證卻讓他無法反駁。
畢竟真要說，李暉在KL-02微型晶片上的研究確實遠超出他，尤其是在晶片參雜工藝這一塊。
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