DDR3為此增加了一個4bitBurstChop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控製這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控製（如4bit順序突發）。
2.尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將複位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
本章節來源於𝑜𝑜𝑝.𝑡𝑤
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當係統發出這一指令後，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之後用512個時鐘周期，在退出自刷新操作後用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5.參考電壓分成兩個
在DDR3係統中，對於內存係統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效地提高係統數據總線的信噪等級。
6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）這是為了提高係統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3係統中，一個內存控製器隻與一個內存通道打交道，而且這個內存通道隻能有一個插槽，因此，內存控製器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址\/命令\/控製與數據總線的負載。而在內存模組方麵，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（台式PC）、SO-DIMM\/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩衝器）。
麵向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所采用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方麵DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是服務器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(BearLake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
。功成頻超於助有式模步異存內置設確正，見可此由，)率頻準標的常正是全完(004RDD有隻是更者後而，)到達以可存內品極些某(005RDD才過不也者前，後之頻外zHM003上超在，662RDD或333RDD為置設存內把中SOIB板主在前頻超在以可們我，頻外zHM003上超利順了為，的能可不是然顯這，006RDD達高將率頻效等的存內時此，下式模作工的步同存內在果如此而，zHM003上超鬆輕以可都頻外的品產少不，頻超易容常非441noretpO的口接939tekcoS的DMA如例，頻超於便以率頻作工的存內低調以可時此，腿後的力能頻超UPC拖存內使不了為，下況情的頻超UPC在，次再。了罷異差有能性其存內的同不配搭過不隻，)了zHM66差相經已zHM002率頻作工的004RDD與zHM331頻外UPC其時此意注(作工常正004RDD的zHM002為率頻作工和333RDD的zHM661為率頻作工、662RDD的zHM331為率頻作工配搭以可卻但，頻外UPC的zHM331即BSFzHM335持支隻僅僅，組片芯LG019letnI如例，式模作工步異存內持支也組片芯板主少不前目，下)頻超不UPC(式模作工的常正在，次其。熱餘揮發續繼存內老使者或能性存內統係高提以可而從，)zHM33差相單簡是隻意注(下式模的zHM33低者或zHM33高頻外UPC比在作工存內使以可，中組片芯板主的期早在現出式模作工步異存內的早最，先首。式模作工步異存內為稱以可都時致一不頻外的UPC與率頻作工存內是凡上義廣在，義意種多含包式模作工步異存內
。能功此了供提都部全後以組片芯396從則司公盛威而，持支都列係578的新較前目到列係018從司公爾特英，步異存內持支都乎幾組片芯板主的前目
別區的存內代三
別區的存內代三
內
