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隻見13.5nm極紫外高能等離子光源瞬間起弧，經過多層高精度光學鏡組，多次反射、收斂、勻化，一束極窄的EUV光束，沿著超長真空光路貫穿整機，精準投射至晶圓表麵。
嘖嘖嘖……
安若素心中暗歎：好科幻的樣子…這玩意兒是我老公造出來的？他怕不是個外星人吧……
“雙工件台切換，載入12英寸裸晶圓，執行對位校準。”蘇雲杉慢條斯理道。
機械結構在真空腔體內無聲滑移，國產高精度雙工件台以納米級精度平穩位移，定位誤差嚴格控製在±0.3nm，晶圓邊緣標記點與機台對位基準瞬間完成毫秒級貼合，套刻預偏差歸零。
外行看熱鬨，內行看門道。
半導體製造研究院院長、光刻機研發中心主任以及教授等團隊成員，神色越發震驚。
他們的目光死死鎖定主控屏幕，無人敢出聲打擾半分。
懂行的人都清楚，這一步對位校準，是1nm製程光刻最核心、最考驗技術的關鍵環節，分毫偏差都會導致整片晶圓報廢。
蘇雲杉緊盯實時成像數據，沉聲確認：“對位合格，啟動單次曝光，劑量240mJ/cm²，聚焦閾值鎖定0.8nm。”
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下一秒，EUV光束精準擊穿光刻膠表層，在晶圓基底上完成極致精微的電路圖形複刻。
整個曝光過程無聲無息，無任何肉眼可見光影，卻在微觀尺度完成了千億級晶體管電路的精準刻畫。
單次曝光結束，機台自動完成移片、對焦、二次校準，開啟多重曝光疊加工藝，完美適配1nm製程的圖形拚接需求。
三分鐘後，首批測試晶圓曝光工序全部完成，設備自動卸載晶圓，送入後端在線檢測工位。
缺陷檢測機和線寬量測機瞬間啟動掃描，海量微觀成像數據快速刷新在大屏之上。
當最終檢測結果跳出的那一刻，團隊成員呼吸同時停滯。
大屏幕上清晰顯示——
實測線寬：1.02nm
套刻精度：1.18nm
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！！！轟
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