用Gigaphoton推出首款量產的ArF激光器。
前世，芯片和光刻機被封鎖有多嚴重？？
盤點過光刻機的韓文韜，當然知道ArF光源的光刻機更先進，是90nm工藝以及更先進工藝的必須技術。
能一直用在7nm！
所以他推薦後者：ArF光源。
當然，這是短期項目。
“長期項目，我們要研究的是——EUV極紫外光源！”
EUV極紫外光源。
這是下一代光刻機的研發方向，是全世界基本已經摸索出來的方向。
但是難度……非常高！
這需要人為去製造一種自然界不存在的‘光’，這種光還極易被任何物質吸收。
即便是空氣！
這就導致EUV光源，不能使用透鏡，會被透鏡吸收耗儘。
隻能依靠布拉格反射鏡。
這種反射鏡的鏡麵精度，需達原子級別。
造出這種‘光’其實還是能做到的，難的：物鏡係統。
還有更難的是：用這種光來製造芯片。
超高精度的芯片。
在晶圓廠，每小時需要處理100片以上晶圓。
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要將EUV光源用在這上麵，功率需要達到200W以上，而且需要穩定、高效、持續。
激光是從電能轉換來的。
將電能通過激光器，轉換為激光，效率大約在10%-20%。
看似不錯，EUV要求隻是區區200W？
那不是輕輕鬆鬆嗎？
實際上，要維持一台輸出功率200W以上的EUV光刻機：穩定、高效、持續運行。
驅動激光的功率需要約20kW。
也就是：從電能轉化為激光，最終到達晶圓的EUV光，轉換效率僅為0.02% ！
轉化過程怎麼轉化呢？
EUV光源是需要‘人造’的。
那就是用高能激光，以每秒5萬次（50kHz）的頻率，精準轟擊直徑僅約30微米（比頭發絲還細）的錫液滴，將其轉化為等離子體並輻射出EUV光。
再將產生的EUV光，通過十幾麵反射率僅約70%的布拉格反射鏡進行反射、控製、最終進行晶圓光刻。
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