1.44，玻璃約為1.5），從投影物鏡射出的光進入水介質後，折射角較小，光可以正常從物鏡中折射出來。ArF光源加浸潤技術實際等效的波長為193nm/1.44=134nm。
這一充滿天才構想的技術突破，使得130nm後的廣泛現代化製程得以實現，最先進位程甚至可以提升至7nm的水平（當然在這樣極限製程下良品率遠遠比不過EUV光刻機）。這一代光刻機，是目前主世界使用最廣泛、最具代表性的一代。從第三代奔騰4開始，絕大部分CPU、GPU和內存顆粒晶片的生產，都是由這一代光刻機完成的。在任重的主世界中，這也是目前東大方麵能掌握的最強製程技術。
然而，挑戰並未就此止步。第五代光刻機，以EUV為光源，波長縮短至13.5nm，使用的是極紫外光技術。這一技術革新，使得製程節點可以達到14nm到3nm水平，是當前市場上最為先進的產品之一。在主世界中，它被譽為最強的光刻機，廣泛應用於最新的CPU和GPU的生產中。這一技術的出現，不僅推動了半導體製造業的又一次飛躍，更為未來的科技發展奠定了堅實的基礎。
麵對如此艱巨的任務，任重深知，如果按部就班去突破，恐怕對於亮劍世界的東大來說有些走彎路了。
g-Line光源雖然說實現上麵更加符合亮劍世界的技術背景，不過i-Line光源來說，這多少有點重複研發的意思，所以在接下來的光刻機演變中，任重決定從技術上直接挑戰i-line光源的第二代光刻機，這個技術路線最終能夠衝擊到0.25微米的極限，生產奔騰III這樣現代化的CPU，在這個水平上，基本可以實現任重構想中網絡時代需要的多媒體展現的性能要求。
不過這樣一來，技術難度就直線上去了。
現代化的晶片製造工藝，不說晶圓生產，僅僅是晶片製造就包括了初步氧化、塗光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、離子注入等多個複雜的工藝流程。
這些工藝流程中需要用到的設備種類繁多，包括氧化爐、塗膠顯影機、光刻機、薄膜沉積設備、刻蝕機、離子注入機、拋光設備、清洗設備和檢測設備等專業步驟，事實上就是最後的封裝測試也不簡單。
這也就是任重為啥不能一步到位直接乾DUV的原因之一，因為在現階段跨越太多了實在辦不到！
現在的這些設備哪怕原理方麵的資料任重都可以拿到手，但是不能帶著原型產品到亮劍世界的話，短時間內根本沒法將那麼複雜的東西研究出來，要知道一台DUV包含了10多萬個零部件！這比造原子彈來說實在是複雜太多了！
這還是硬體方麵的，還有軟體係統方麵的，也需要時間進行沉澱，培養真正的頂級計算機科學家！
任重可以帶著頂級的小型機電腦到亮劍世界創建東大的第五區和第九區這樣特殊的研發特區，部署下一個真正在主世界都堪稱現代化的開發環境，但是專家的培養可不是一朝一夕就能成功的。
現在第五區和第九區之間，除了在研究驗證新產品的正常研發之外。
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任重這邊還招收了一大幫數學和物理方麵的天才，這些人是按照計算機係統專家在進行深入培養，任重用了主世界的頂級計算機和工控教材，經過了重新編輯PDF文檔後，消除掉了主世界儘可能多的痕跡，配合提供的諸如μClinux、μC/OS-II、eCos、FreeRTOS、mbed OS、RTX、Vxworks、QNX、NuttX這類型的實時作業係統，鴻蒙開源係統這樣的大型分布式係統，以及DOS、Linux開源伺服器和桌麵係統等諸多係統原始碼來供這些種子選手們進行學習和驗證。
這些計算機潛在的種子們，在這樣的環境下，瘋狂投入到了邊看邊學習邊引進消化中的進程。
這一支由頂尖科學家和工程師組成的研發團隊，除了從學校遴選，還從各行各業挑選有悟性的天才出來，所以這個團隊成員來自不同的領域，最終他們將會把自己學習到的東西應用到自己的行業中去。
隻不過現在亮劍世界的晶片能力還不夠強，試驗這些係統和想法的板塊和晶片，任重都要從主世界中帶入，好在晶片的重量不大，在亮劍世界完成了主世界電路板塊設計內容後，任重帶入亮劍世界的就是晶片為主，而不是像最初那樣必須帶入完整的板卡。
正是有了主世界的供應，讓第五區和第九區的這些專家們在計算機技術方麵突飛猛進，晶片設計進展速度甚至超越了主世界摩爾定律！
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