運。華芯自己的DUV停在28nm。”
鉛筆頭戳了一下白板。
“DUV理論上可以四重曝光做7nm。代價是良率從九成砍到四成以下，成本翻三倍。國內量產級別沒人跑通過。”
他收了筆。
“你做出了市麵上效率最高的28nm AI芯片。但28nm到7nm中間隔的不是二十一納米——是一台不存在的機器。”
接下來三天。
白天盯產線和字節交付。晚上七點關門啃文獻。
林辰辦公桌右半邊清出來，三摞文獻碼上去。光源、光學係統、工藝鏈。準分子激光到極紫外光，投影物鏡到多層膜反射鏡，掩模版到光刻膠。
二十多個子係統。十萬個零部件。ASML用了三十年加全球供應鏈協同才做到EUV量產。
第一天——分辨率極限和焦深的矛盾理清了，但引用論文有兩處推導跳步，他拿草稿紙補了四頁才接上。
第二天——浸沒式光刻的折射率增益機製跑通了。多重曝光的套刻誤差傳遞模型，數學推完了。
第三天晚上十一點四十。最後一份EUV光源功率路線圖綜述合上。
麵板跳了。
【新技能解鎖：光刻機技術LV1（0/100）】
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零。
三天，啃了半人高的文獻。三天，零。
他沒動。台燈下，一張空白A4紙攤開。
第一行：CM-T2/7nm / AI訓練芯片二代。
第二行：光刻。
中間一條橫線。底下三條路徑。
路徑一：華芯DUV + 四重曝光。最快。良率和成本是硬傷。
路徑二：國內攻關先進光刻機的團隊，投資或合作。上海微電子在做28nm DUV，往下推的時間表不公開。
路徑三：自研。
三條路並排。
沒劃掉任何一條。
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