路和電子元件，製造導線連接各個元器件。通常其生產的精度以um(微米)來表示，未來有向nm(納米)發展的趨勢（1mm=1000um1um=1000nm），精度越高，生產工藝越先進。在同樣的材料中可以製造更多的電子元件，連接線也越細，提高芯片的集成度，芯片的功耗也越小。
製造工藝的微米是指IC(integratedcircuit集成電路)內電路與電路之間的距離。製造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發展。密度愈高的IC電路設計，意味著在同樣大小麵積的IC中，可以擁有密度更高、功能更複雜的電路設計。微電子技術的發展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進，使得器件的特征尺寸不斷縮小，從而集成度不斷提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片製造工藝在1995年以後，從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米，再到目前主流的90納米(0.09微米)、65納米、55nm等。
核心頻率：
顯卡的核心頻率是指顯示核心的工作頻率，其工作頻率在一定程度上可以反映出顯示核心的性能，但顯卡的性能是由核心頻率、顯存頻率、顯存位寬、像素管線顯存容量、像素填充率等等多方麵的情況所決定的，因此在顯示核心不同的情況下，核心頻率高並不代表此顯卡性能強勁。比如9600PRO的核心頻率達到了400MHz，要比9800PRO的380MHz高，但在性能上9800PRO絕對要強於9600PRO。在同樣級別的芯片中，核心頻率高的則性能要強一些，提高核心頻率就是顯卡超頻的方法之一。顯示芯片主流的隻有ATI和NVIDIA兩家，兩家都提供顯示核心給第三方的廠商，在同樣的顯示核心下，部分廠商會適當提高其產品的顯示核心頻率，使其工作在高於顯示核心固定的頻率上以達到更高的性能。
2）顯存
類型：
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顯卡上采用的顯存類型主要有SDRDDRSDRAM，DDRSGRAM、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。
DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫(雙倍數據速率)，它能提供較高的工作頻率，帶來優異的數據處理性能。
DDRSGRAM是顯卡廠商特別針對繪圖者需求，為了加強圖形的存取處理以及繪圖控製效率，從同步動態隨機存取內存（SDRAM）所改良而得的產品。SGRAM允許以方塊(Blocks)為單位個別修改或者存取內存中的資料，它能夠與中央處理器(CPU)同步工作，可以減少內存讀取次數，增加繪圖控製器的效率，儘管它穩定性不錯，而且性能表現也很好，但是它的超頻性能很差。
目前市場上的主流是DDR2DDR3。(ATi則有部分顯卡是GDDR4，GDDR5)
位寬：
顯存位寬是顯存在一個時鐘周期內所能傳送數據的位數，位數越大則瞬間所能傳輸的數據量越大，這是顯存的重要參數之一。目前市場上的顯存位寬有64位、128位、256位和512位幾種，人們習慣上叫的64位顯卡、128位顯卡和256位顯卡就是指其相應的顯存位寬。顯存位寬越高，性能越好價格也就越高，因此512位寬的顯存更多應用於高端顯卡，而主流顯卡基本都采用128和256位顯存。
顯存帶寬＝顯存頻率X顯存位寬\/8，在顯存頻率相當的情況下，顯存位寬將決定顯存帶寬的大小。例如：同樣顯存頻率為500MHz的128位和256位顯存，那麼它倆的顯存帶寬將分別為：128位＝500MHz*128∕8=8GB\/s，而256位＝500MHz*256∕8=16GB\/s，是128位的2倍，可見顯存位寬在顯存數據中的重要性。顯卡的顯存是由一塊塊的顯存芯片構成的，顯存總位寬同樣也是由顯存顆粒的位寬組成。顯存位寬＝顯存顆粒位寬×顯存顆粒數。顯存顆粒上都帶有相關廠家的內存編號，可以去網上查找其編號，就能了解其位寬，再乘以顯存顆粒數，就能得到顯卡的位寬。
容量：
這個就比較好理解了，容量越大，存的東西就越多，當然也就越好。
目前主流的顯存容量128MB、256MB、512MB，1024MB等。
封裝類型
顯存封裝形式主要有:
TSOP(ThinSmallOut－LinePackage)薄型小尺寸封裝
QFP(QuadFlatPackage)小型方塊平麵封裝
MicroBGA(MicroBallGridArray)微型球閘陣列封裝，又稱FBGA(Fine-pitchBallGridArray)
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期周鐘時存顯與率頻存顯
